布拉格曲線（Bragg curve）

描述帶電粒子能量損失的非線性曲線，其峰值出現在粒子停止時。能量損失與資料類型、粒子種類及其能量有關。高能粒子的線性能量傳遞（LET）低於相同種類低能粒子的 LET。

日冕物質拋射（Coronal mass ejections）

由於太陽磁場變化而拋射出的富含質子的电浆，速度在 250~3000 km/s 之間，到達地球需要數小時至數天。

粒子注量（Fluence）

組織面積上接收到的粒子數量，組織為 n/cm²，即粒子通量隨時間積分的結果（通量 × 時間）。

粒子通量（Flux）

組織面積上每秒通過的粒子數量，組織為 n/cm²·s。

伽馬射線（Gamma rays）

高能光子，屬於電磁波，能够電離物質，通常由放射性衰變產生（如 60Co 源常用於總電離劑量[TID]測試）。

地球同步軌道（Geostationary equatorial orbit，GEO）

地球同步軌道是一種特定的地球軌道，距離地球 22236 英里（35786 km），衛星速度（11052 km/h）與地球自轉同步，完成一次軌道旋轉需 24 小時。 地球同步軌道衛星保持在地球上空固定位置。 與低地球軌道（LEO）衛星和中地球軌道（MEO）衛星相比，許多地球同步軌道衛星暴露於較高輻射水准，需設計以承受更惡劣的環境，它壽命較長，適用於氣象監測和全球通信等應用。

高橢圓軌道（Highly elliptical orbit，HEO）

與更接近圓形的低地球軌道（LEO）或中地球軌道（MEO）不同，高橢圓軌道具有更高的偏心率，因此在星座通信網絡等傳統衛星應用中較為少見。高傾角的 HEO 衛星在高緯度地區上空有較長的駐留時間，因此比 GEO 軌道更適合高緯度地區的通信。

電離輻射（Ionizing radiation）

指具有足够能量的亞原子粒子（質子、電子、中子、離子）或電磁波（X 射線或伽馬射線）通過剝離原子中的電子而產生電離作用。

線性能量傳遞（Linear energy transfer，LET）

指電離粒子在穿過物質時每組織距離傳遞的能量，組織為 MeV/cm。LET 與物質密度相關，針對矽材料時，常使用衍生組織 MeV·cm²/mg 表示。

低地球軌道（Low earth orbit，LEO）

低地球軌道是指距離地球 1200 英里（2000km）或更近的軌道，速度為 25~28km/h，軌道週期為 128 分鐘或更短。由於軌道高度較低，LEO 衛星的“地球覆蓋範圍”較小，因此服務區域有限。

中地球軌道（Medium earth orbit，MEO）

中地球軌道是指圍繞地球的特定軌道，位於 LEO 和 GEO 之間，距離地球 1200 英里~22236 英里（2000~35786km），速度為 28~11052km/h，軌道週期為 2~24 小時。 由於高度新增，MEO 衛星比 LEO 衛星有更大的“地球覆蓋範圍”，因此服務區域更廣。

拉德（Rad）

輻射吸收劑量組織，等於 0.01 戈瑞（國際單位制）。

抗輻射電子元件（Radiation hardened electronics，Rad-Hard）

抗輻射電子元件指經過特殊設計、製造和測試，能够在特定輻射環境中可靠工作的電子元件。這類設備通常需通過嚴苛的總電離劑量（TID）、中子或質子位移損傷（DD）及單粒子效應（SEE）測試，以類比實際工作環境，常用於航天器、核反應爐和粒子加速器的設計，因為它們將暴露在高水准的輻射下。

抗輻射電子元件需通過特定的篩選流程，符合政府製定的標準。這些標準通常要求採用密封封裝，以確保較長的使用壽命。這些設備具有更高的可靠性和更長的使用壽命，因此主要供航太機构、私人航太公司、國防部門及科研人員使用。

耐輻射電子元件（Radiation tolerant electronics）

耐輻射電子元件指經過特殊設計、製造和測試，能够承受特定水准輻射負面影響的電子元件。與抗輻射元件的一個關鍵區別是，耐輻射元件無法承受抗輻射元件所能承受的輻射水准。但是，與未經輻射評級的商用現貨（COTS）產品不同，耐輻射部件是為在輻射水准較低的環境中工作而設計的。 由於軌道較低、任務時間較短、可靠性要求更低，低地球軌道和中地球軌道衛星越來越多地使用耐輻射部件。

單粒子燒毀（Single event burn-out，SEB）

在 MOSFET 功率電晶體中，寄生雙極結構被觸發，伴隨再生迴響、雪崩效應和高電流狀態。除非有適當的保護措施，否則SEB具有潜在破壞性。通常，使用1E5 ions/cm² 的粒子注量進行 SEB 測試。

單粒子效應（Single event effect，SEE）

單個高能電離粒子撞擊電路中的敏感節點，引起可量測的軟或硬錯誤。單粒子會導致電離，可能影響 TID，這可能是測試期間需要考慮的一個因素。

單粒子功能中斷（Single event functional interrupt，SEFI）

指導致元件復位、鎖定或其他功能异常的軟錯誤，通常發生在具有內寘狀態/控制模組的複雜設備中，如 SDRAM、DRAM、NOR/NAND 閃存、各類處理器、FPGA 或 ASIC 或混合訊號設備中。根據恢復可操作性所需的操作，SEFI 可分為軟件復位或電源循環兩種類型。存儲的數據可能會也可能不會遺失。通常，使用 1E7 ions/cm² 的粒子注量進行 SEFI 測試。

單粒子栅擊穿/單粒子介質擊穿（Single event gate rupture，SEGR/single event dielectric rupture，SEDR）

單離子撞擊引起的栅氧化層或其他電介質層的破壞性擊穿，會在偏壓下產生漏電流，常見於功率 MOSFET、線性集成電路（帶內部電容器），或在數位設備中表現為固定比特。通常使用 1E5 ions/cm² 的粒子注量進行 SEGR 測試。

單粒子閂鎖（Single event latch-up，SEL）

在電離粒子作用下，設備進入永久且可能具有破壞性的狀態，即離子撞擊觸發寄生晶閘管結構，並形成低阻抗、大電流路徑，常見於 CMOS 電路中。如果電流過大，可能會造成破壞。這種大電流狀態可以鎖定，通過斷電復位。通常情况下，在設備的最高額定溫度下使用 1E5 ions/cm² 的粒子注量進行 SEL 測試。

單粒子瞬態（Single event transient，SET）

單個高能粒子撞擊邏輯或線性集成電路節點，引起暫時的電壓突變（電壓尖峰）。這屬於軟錯誤。

單粒子翻轉（Single event upset，SEU）

單粒子引起一個或多個電晶體的狀態改變。這種狀態變化可能導致邏輯或存儲錯誤。單粒子翻轉是非破壞性的，可通過重寫或復位邏輯元件恢復。這屬於軟錯誤。通常，使用 1E7 ions/cm² 的粒子注量進行 SEU 測試。

太陽耀斑（Solar flares）

太陽間歇性爆發的電磁能量，通常與日冕物質拋射相關。電磁輻射覆蓋從無線電波到伽馬射線的全波段。太陽耀斑的頻率以 11 年為一個週期。

太陽風（Solar wind）

太陽持續釋放的帶電粒子流，主要包含質子、電子和 α 粒子，以及微量的較重離子，速度為 300~700km/s。

閾值線性能量傳遞（LETth）或起始線性能量傳遞（LET）

指足以引起輻射效應的最小 LET 值。在設備測試中，通常使用 1E7 ions/cm² 的粒子注量，以確保覆蓋敏感節點。